长鑫存储宣称重大技术技术突破，全球存储芯片股遭抛售

来源：美股财经社

一家中国存储芯片制造商的一番技术表态，周二在全球芯片股中引发连锁抛售，尽管它尚未交付一颗相关产品。

长鑫存储(简称CXMT)总裁曹堪宇上周末在上海一场行业活动上表示，公司计划在2026年底前推出基于新技术的新一代DDR5服务器内存模组(RDIMM)。该技术采用业内称为4F²的存储单元结构，三星电子和SK海力士多年来同样在攻关这一方向。

市场的反应远比这番表态本身更激烈。韩国综合指数(KOSPI)周二收跌5.46%，报6035.35点，盘中一度跌破6000点，并触发近两个月来首次卖出侧程序交易暂停机制。三星电子下跌7.39%，SK海力士暴跌10.09%。三星收于23.2万韩元，SK海力士收于144.3万韩元。据《韩国经济日报》报道，外国投资者当天在韩国股市净卖出约4.53万亿韩元。

抛售随后蔓延至纽约。美光科技周一已下跌3.88%，费城半导体指数下跌2.67%；周二美光再跌3.62%，闪迪、希捷等存储相关股票连续第二天走低。

4F²之所以牵动市场神经，在于它直接关系到存储芯片的成本曲线。目前主流商用DRAM采用6F²单元结构，长鑫的方案依靠自研的垂直环绕栅极(VSG)晶体管，以垂直栅极结构减少漏电，同时压缩每个存储单元的占用面积。从数字上看，单元面积由6F²缩至4F²，意味着理论上同样面积的晶圆可容纳更多存储单元。

时间表是投资者最敏感的部分。SK海力士在2025年公布了自己的4F²开发路线图，而据报道三星的目标是在2028年前后以该设计量产10纳米以下DRAM。如果长鑫能够如期推出产品，它将在这一代技术上与韩国对手同台竞争，而不是像过去那样追赶。

长鑫的份额扩张已让市场有所警惕。据市场研究机构TrendForce统计，长鑫二季度在全球DRAM营收中的份额为9.5%，排在三星(39.4%)、SK海力士(24.9%)和美光(23.3%)之后。

这一消息落在一个本已脆弱的时点。经历今年的大幅上涨后，芯片股正面临投资者对人工智能基础设施支出可持续性的重新审视。据晨星报道，博通首席执行官将AI投资比作"赌场"的言论，也在压制美国半导体股。三星和SK海力士合计占韩国综合指数权重的一半以上，使韩国市场对芯片情绪的任何变化都格外敏感。韩国Kiwoom证券分析师Han Ji-young表示，对长鑫的担忧叠加美国半导体股疲软，正在放大市场波动。

不过，不少分析师认为市场反应过度。据《华尔街日报》报道，长鑫的技术仍落后三星、SK海力士和美光"两到三代"，英美投资公司Quadri管理合伙人Chris James认为，长鑫的威胁可能不像市场担心的那么严重。

怀疑者的核心论点是，宣布推出产品与实现量产是两回事。长鑫尚未公布这款4F²服务器内存的完整规格、经验证的良率、客户认证结果或规模化出货承诺。有分析师指出，年底推出产品无法与三星2028年的量产目标直接比较，因为发布本身并不能证明制造成熟度、良率或成本竞争力。瑞穗则提醒，三星和SK海力士都在推进类似的DDR5 4F²设计，这更像是全行业的技术迁移，而非中国独有的突破。

另一个常被忽略的区别是，长鑫此次涉及的是常规服务器DRAM，而非为英伟达等AI加速器配套的高带宽内存(HBM)。有分析师表示，韩国芯片制造商在HBM领域仍占绝对主导，在可预见的未来几乎不会受到长鑫或其他厂商的威胁。

但有意思的是，长鑫自身也未能幸免于这轮抛售。消息传出后的周一，长鑫股价下跌3.1%，报49.42元人民币。

对于全球存储芯片投资者而言，接下来真正的考验不在发布会上，而在客户的验证实验室里：长鑫的4F²产品能否通过服务器级的可靠性与兼容性认证，并以具有竞争力的良率批量出货。在那之前，市场可能还要为一项尚未落地的技术继续支付波动的代价。